جستجو در تالارهای گفتگو

طبق قولی که به دوستان داده بودم برای ارائه یک مجموعه آموزشی ساده الکترونیک این مجموعه که چندسال پیش در شرکتمون جمع کرده بودیم رو براتون میذارم. امیدوارم مورد توجه دوستان قرار بگیره و خوشحال میشیم بتونیم به کمک شما مجموعه های بیشتری معرفی کنیم مقدمه مکاترونیک علمی است که همانطور که از نامش پيداست، هم به مکانيک و هم به الکترونيک ارتباط دارد ، درواقع ترکيبي از اين دو شاخه مهم در علوم فني و مهندســي می باشد. البـته بـا رشته هاي ديگر مهندسي مانند کامپيوتر ، رباتيک، مخابرات، کنترل و ... هم در ارتباط مستقيم است. در اين مجموعه شما گام به گام با اين رشته و کاربردهایش آشنا می شوید. اولين قسمت از آموزش مکاترونيک به آموزش مفاهيم الکترونيک اختصاص دارد . بسته اي که شما در اختيار داريد ، شامل دهها آزمايش و پروژه جذاب الکترونيک می باشد که شما را در یادگیری هرچه بهتر این مفاهیم کمک می کند. با کمي دقت به اطرافتان متوجه خواهید شد که امروزه برق و الکترونیک نقش عمده ای در زندگی ما بازی می کند. از موبایلی که در دست ماست گرفته تا DVD PLAYER ، تلويزيون ، flash memory و .....تماماً پر از مدارات الکترونيکي هستند. کامپيوتر مجموعه اي از مدارات بسيار پيچيده الکترونيکي می باشد . بيش از 85% کنترل هواپيما به کمک الکترونيک انجام مي شود . ارتفاع ، سرعت، فشار هواي بيرون و داخل هواپيما بوسیله سیستم خودکار هواپیما تنظیم می شود. پیشرفت امروز علم پزشکي مدیون تجهیزات پیشرفته الکترونیکی است که در این حرفه بکار گرفته می شود . امروزه عمل هاي جراحي بسیار سخت به کمک روبات هاي جراح خيلي راحت تر و دقيق تر انجام می شود. فهرست : فصل اول ... دنیای الکترونیک فصل دوم ... مقاومت فصل سوم ... خازن فصل چهارم ... دیود فصل پنجم ... ترانزیستور فصل ششم ... آمپلی فایر فصل هفتم ... گرماسنج فصل هشتم ... مدارات مجتمع فصل نهم ... آداپتور فصل دهم ... گیتهای دیجیتال مدارات متنوع .... فصل یازدهم ... آزمایشات ویژه

در این مجموعه تاپیک ها که در مورد مطالب رباتیک است و توسط استاد بزرگوارمان "سرکار سید خاموشی" ارائه شده است به آسانی و با زبان ساده با رباتیک از ابتدا آشنا میشوید. به طوری که اگر هیچ چیزی در مورد حتی ساده ترین قطعات الکترونیک مانند ترانزیستور و دیود نمیدانید، در این مجموعه به راحتی و فقط با دانستن قوانین ساده برق، با تک تک مراحل ساخت رباط، تک تک قطعات آن مانند ترانزیستور، دیود، موتورهای dc، میکروکنترلر 8051 و avr و... به صورتی کاربردی در رباتیک آشنا میشوید.

محققان ایرانی موفق به ساخت سنسورهای خازنی با قابلیت تشخیص از پشت مانع شدند. سنسورهای خازنی نظیر دیگر سنسورهای غیر تماسی با نزدیک شدن به اشیاء خصوصا غیر فلزات خروجی سوئیچ ترانزیستور pnp و یا npn می‌دهد. با نزدیک شدن اجسام به سنسور خازنی، دی الکتریک خازن تعبیه شده در سنسور تغییر پیدا کرده و مدار داخلی با مقایسه با مقدار مرجع یک خروجی باز یا بسته می‌دهد. از سنسور خازنی می‌توان به عنوان مولد پالس به منظور کنترل وضعیت برنامه ماشین‌آلات برای شمارنده‌ها و آ‌شکارسازی تقریبا تمام مواد فلزی و غیر فلزی استفاده کرد. برای مثال در کنترل سطح مواد پودری یکی از پرکاربردترین سنسورها، سنسور خازنی است. سنسورهای خازنی در مدل‌های معکبی و استوانه‌یی تولید می‌شود و بسته به مکانیزم تولید و ابعاد می‌تواند در فواصل مختلف وجود اجسام را حس کند. مدیرعامل شرکت سازنده این سنسورها گفت: سنسورهای هوشمند خازنی یکی از انواع سنسورهای خازنی هستند که برای سطح سنجی استفاده می‌شود و در صنایع در بخش اتوماسیون کاربرد زیادی دارد. وی افزود: از ویژگی‌های سنسورهای طراحی و ساخته شده، بازده گسترده ولتاژ ورودی در رنج متغیر 84 تا 204 ولت در ولتاژ ac و 100 تا 400 ولت برای dc است که این ویژگی در سنسورهای موجود در بازار وجود ندارد. به گفته وی، بازه گسترده ولتاژ موجب می‌شود که نوسانات برق هیچ گونه مشکلی برای سنسورها و در نتیجه دستگاه‌ها و سیستم‌هایی که سنسور بر روی آن‌ها نصب است ایجاد نکند. وی در خصوص خروجی این سنسورهای خازنی خاطرنشان کرد: خروجی سنسورهای عمومی در حد میلی‌آمپر است در حالی که این سنسورها می‌توانند خروجی تا 250 ولت/ 7 آمپر را تامین کنند. سالاری نسب در پایان در خصوص قابلیت‌های این سنسورها اظهار کرد، تشخیص و تفکیک مواد مختلف، تشخیص مواد از پشت مانع (پلاستیک، شیشه و ..) عمل‌کرد در محیط مایع و محیط گرد و غبار و قابلیت استفاده برای کنترل سطح مخازن در صنایع، سیلوها و ... از جمله قابلیت‌های این سنسورهای خازنی‌اند.

سلام. این قسمت برای درج اخبار نانو ایجاد شده. لطفا اگر خبر جدیدی شنیدید بگید تا ما هم استفاده کنیم.:w00: ممنون. در ضمن: اسپم ممنوع:167:

ساختمان قطعات دیجیتال بسیاری از خانواده های مختلف منطقی به صورت مدار های مجتمع در سطح تجاری عرضه شده اند. متداول ترین خانواده ها از این قرارند: TTL - منطق ترانزیستور - ترانزیستور ECL - منطق کوپل امیتر MOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی CMOS - منطق فلز - اکسید - نیمه هادی مکمل TTL یک خانواده متداول است که سالها مورد استفاده بوده و به عنوان استاندارد تلقی می شود. ECL در سیستم هایی که به سرعت عمل بالا نیاز دارند ترجیح داده می شوند. MOS برای مدار هایی که نیاز به تراکم بالا دارند مناسب است و CMOS در سیستم های کم مصرف به کار می رود. خانواده منطقی ترانزیستور - ترانزیستور گونه تکامل یافته تکنولوژی قدیمی تریست که در آن از دیود و ترانزیستور برای ساخت گیت پایه NAND استفاده می شده است. این تکنولوژی منطق دیود ترانزیستور (DTL) خوانده می شده است. بعد ها برای بهبود عملکرد مدار به جای دیود از ترانزیستور استفاده شد و نام خانواده جدید ترانزیستور- ترانزیستور گذاشته شد. علاوه بر نوع استاندارد TTL انواع دیگری از این خانواده عبارتند از TTL سرعت بالا -TTL توان پایین(یا کم مصرف)-TTL شوتکی -TTL شوتکی توان پایین و.... منیع تغذیه مدار های TTL پنج ولت و در دو سطح منطقی 0 و 3.5 ولت می باشد. خانواده کوپل امیتر سریع ترین مدار های دیجیتال را به فرم مجتمع در اختیار می گذارند. ECL در مدار هایی مانند سوپر کامپیوتر ها و پردازنده های سیگنال که در آنها سرعت بالا ضرورت دارد بکار می رود. ترانزیستور ها در گیت های ECL در حالت غیر اشباح کار می کنند و رسیدن به تاخیر های انتشاری در حد 1 تا 2 نانو ثانیه در آنها میسر است. منطق فلز- اکسید- نیمه هادی یک ترانزیستور تک قطبی ست که به جریان یک نوع حامل الکتریکی وابسته است. این حامل ها ممکن است الکترون (در نوع کانال n) یا حفره باشند. این بر خلاف ترانزیستور به کار رفته در گیت های TTL/ECL است که در عین عملکرد هر دو نوع حامل در آن وجود دارد. یک MOS کانال p را PMOS و یک MOS کانال n را NMOS می نامند. معمولا در مدار هایی که فقط یک ترانزیستور MOS وجود دارد از NMOS استفاده می شود. در تکنولوژی CMOS هر دو نوع ترانزیستور که به شکل مکمل در تمام مدار ها بسته شده اند به کار رفته است . بزرگترین مزیت CMOS نسبت به دو قطبی تراکم بالای مدار ها در بسته بندی ساده بودن تکنیک ساخت و عملکرد مقرون به صرفه آن به دلیل مصرف توان کم است. به علت مزایای بی شمار مدار های مجتمع انحصارا در تهیه انواع قطعات لازم در طراحی سیستم های کامپیوتر به کار می رود . برای درک سازمان و طراحی کامپیوتر ها آشنایی با انواع قطعات و اجزائ به کار رفته در مدار های مجتمع اهمیت دارد. به این دلیل اجزائ اصلی به همراه خواص منطقی آن تشریح شده است این اجزا مجموعه ای از واحد های عملیاتی دیجیتال را فراهم می کنند که در طراحی کامپیو تر های دیجیتال یه عنوان بلوک های ساختمان اصلی پایه به کار می روند.

ترانزيستورهاي مسطح و نشت جريان پيش از آن‌كه به سراغ بررسي جنبه‌هاي طراحي ترانزيستور جديد سه بعدی برويم، اجازه بدهيد ابتدا به نحوه كار ترانزيستورهاي سنتي نگاهي بياندازيم. شكل 1 يك ترانزيستور «مسطح» سنتي را نشان مي‌دهد، همان نوع ترانزيستوري كه براي نخستين‌بار در آغاز عصر ريزتراشه‌ها اختراع شد و تا امروز يكي از عناصر اصلي مدارهاي الكترونيكي را تشكيل مي‌داده است. اين ترانزيستور از سه بخش اصلي تشكيل شده است: منبع (Source)، مسير تخليه (Drain) و گيت (Gate). در واقع اين شكل يك نوع خاص از ترانزيستورها، يعني يك MOSFET را نشان مي‌دهد، اما اجازه بدهيد بيش از حد با جزئيات درگير نشويم. شكل 1- يك ترانزيستور مسطح شايد اين ابزار كمي عجيب به نظر برسد، اما در واقع تنها يك سوييچ الكتريكي است. شما مي‌توانيد Source و Drain را به‌عنوان دو اتصال سيم‌هاي يك كليد برق استاندارد در‌نظر بگيريد. اگر يك سيم رسانا را به هر دو اتصال مذكور وصل كنيد، يك مدار بسته ايجاد شده و به جريان برق اجازه عبور مي‌دهد. زيرلايه (Substrate) ترانزيستور، همانند يك سيم جادويي عمل‌مي‌كند كه مي‌تواند جريان الكتريسيته را از خود عبور دهد يا ندهد. در اينجا، گيت همان سوييچي است كه كنترل مي‌كند آيا جريان توسط سيم عبور داده خواهد شد يا خير. بنابراين، وقتي يك ولتاژ روي صفحه فلزي شكل‌دهنده گيت ترانزيستور اعمال مي‌شود، يك نوار باريك از ماده نيمه‌هادي بين Source و Drain (يا همان سيم جادويي ما) از حالت عايق به يك رسانا تغيير پيدا مي‌كند. در نتيجه، سوييچ در وضعيت «روشن» قرار گرفته و به جريان اجازه مي‌دهد تا از Source به Drain عبور كند. با حذف ولتاژ، جريان نيز قطع مي‌شود يا حداقل قرار است كه پس از قطع ولتاژ جرياني از اين مسير عبور نكند. در شرايط واقعي، جريان اندكي به‌طور دائمي بين Source و Drain وجود دارد. اين وضعيت كه تحت عنوان «نشت جريان» شناخته مي‌شود، نيروي ارزشمند برق را هدر داده و با كوچك‌تر شدن اندازه ترانزيستورها يا افزايش تعداد آن‌ها تشديد مي‌شود. پس به‌طور خلاصه مي‌توان گفت، بر اساس ايده ابتدايي، ترانزيستور يك سوييچ است كه عملكرد آن به وجود مقدار كمي ماده عايق ميان دو «الكترود» كه به‌‌طور جادويي هنگام اعمال ولتاژ به يك رسانا تبديل شده و در نتيجه مدار را كامل مي‌كند، بستگي دارد. حال اجازه بدهيد به شكل 2 نگاهي بياندازيم كه تصوير متفاوتي از همان سوژه را نشان مي‌دهد. نوار آبي رنگ كوچك كه تحت عنوان لايه وارونگي (Inversion Layer) شناخته مي‌شود، ناحيه‌اي از ماده در نزديكي گيت است كه وقتي در معرض ولتاژ قرار مي‌گيرد، به يك رساناي الكتريكي تبديل مي‌شود. باز هم گيت يك صفحه فلزي كوچك است و وقتي ولتاژ روي آن اعمال مي‌شود، لايه ماده نيم‌هادي كه درست در زير آن قرار گرفته به يك رسانا تبديل مي‌شود. حالا با كوچك‌تر شدن گيت‌ها در ترانزيستور، اين نوار كوچك آبي رنگ ماده رسانا نيز كوچك‌تر مي‌شود. طبيعي است كه با كوچك‌تر شدن اين نوار، جريان كمتري مي‌تواند از آن عبور كند. وقتي گيت و لايه وارونگي واقعاً كوچك مي‌شوند (مانند وضعيتي كه در اندازه‌هاي 22 نانومتري پيدا مي‌كنند)، در وضعيتي كه سوييچ روشن باشد لايه تنها مي‌تواند به مقدار بسيار اندكي از جريان الكترون‌ها اجازه عبور دهد. اما وقتي سوييچ در وضعيت خاموش است نيز هنوز يك نشت جريان كوچك در اين مسير وجود دارد. شكل 2 نتيجه نهايي اين است كه سوييچ در وضعيت روشن و خاموش خود تقريباً يكسان به‌نظر مي‌رسد. اين وضعيت به هيچ‌وجه خوب نيست، زيرا تراشه تنها با تغيير حالت سوييچ به روشن و خاموش است كه مي‌تواند كدهاي باينري صفر و يك را ارسال كند. دو راه‌حل كلي براي حل اين مشكل وجود دارد: نخست كاهش نشت جريان و دوم عبور دادن الكترون‌هاي بيشتر از نوار رساناي آبي رنگ. طراحي جديد اينتل، كمي از هر دو كار را انجام مي‌دهد. با اين‌اوصاف، ما روي گزينه دوم تمركز خواهيم كرد، زيرا بخش عمده‌اي از ويژگي‌هاي جديد و مهم پيشرفت اخير اينتل را تشريح مي‌كند. دو روش براي عبور الكترون‌هاي بيشتر از نوار باريك آبي وجود دارد. نخستين و آشكارترين راه‌حل اين است كه مقدار ولتاژي را كه روي گيت اعمال مي‌شود، افزايش دهيم تا لايه وارونگي خاصيت رسانايي الكتريكي بيشتري پيدا كند. با اين‌حال، راه‌حل مذكور چندان ايده‌آل نيست، زيرا ولتاژ بيشتر به معناي افزايش مصرف برق خواهد بود. روش ديگر كه راه‌حل بهتري به‌شمار مي‌آيد، اين است كه راهي پيدا كنيم تا نوار آبي بزرگ‌تر شود. يك نوار بزرگ‌تر مي‌تواند جريان الكتريكي بيشتري را از خود عبور دهد و در عين حال اين كار را با ولتاژ كمتري انجام مي‌دهد. به‌عبارت ديگر، نيازي نيست ولتاژ اعمال شده روي گيت را به‌منظور ايجاد رسانايي بيشتر در نوار باريك آبي‌رنگ به‌طور جدي افزايش دهيم، زيرا خود نوار بزرگ‌تر شده و مي‌تواند جريان بيشتر را انتقال دهد. اينتل تصميم گرفت، از روش دوم استفاده كند و با گسترش گيت در سه بعد، توانست در تلاش خود به موفقيت برسد.

تو این تاپیک جزوات درسی مربوط به الکترونیک رو بذارین. خودم یکی از این جزوه الکترونیک 1 رو که واسه مهندسی کاشی هستش تو بخش به صورت PDF واسه دانلود گذاشتم که می تونین از لینک های زیر بگیرین: دانلود بخش اول دانلود بخش دوم pass: www.noandishaan.com

پیچیدگی طراحی پردانده‌ها هم‌زمان با افزایش سریع فن آوری‌های متنوع که ساختارهای کوچک‌تر و قابل اطمینان تری را در وسایل الکترونیک باعث می‌شد، افزایش یافت. اولین موفقیت با ظهور اولین ترانزیستورها حاصل شد. پردازنده‌های ‍‍ترانزیستوری در طول دهه‌های ۵۰ و ۶۰ میلادی زمان زیادی نبود که اختراع شده بود و این در حالی بود که آنها بسیار حجیم، غیر قابل اعتماد و دارای المانهای سوئیچینگ شکننده مانند لامپ‌های خلا و رله‌های الکتریکی بودند. با چنین پیشرفتی پردازنده‌هایی با پیچیدگی و قابلیت اعتماد بیشتری بر روی یک یا چندین برد مدار چاپی که شامل قسمت‌های تفکیک شده بودند ساخته شدند. در طول این مدت، یک روش برای تولید تعداد زیادی ترانزیستور روی یک فضای فشرده نظر اکثریت را به خود جلب کرد. مدارات مجتمع (ic)‌ها، این امکان را فراهم کردند که تعداد زیادی از ترانزیستورها روی یک پایه نیمه رسانا لایه لایه شده یا «چیپ»ساخته شوند. در ابتدا تنها مدارات غیر تخصصی پایه مانند گیتهای منطقی nor به صورت مدارات مجتمع ساخته شدند. پردازنده‌هایی که بر اساس چنین واحد سیستم پایه‌ای مدارات مجتمع ساخته شدند به طور کلی جزو مدارات مجتمع مقیاس کوچک (ssi) محسوب می‌شدند.مدارات مجتمع ssi مانند آنچه که در راهنمای کامپیوتر آپولو آورده شده، معمولاً شامل ترانزیستورها با تعداد ضرایبی از ۱۰ می‌باشند. ساخت یک پردازنده یکپارچه و بی عیب و نقص بدون استفاده از مدارات مجتمع ssi نیازمند هزاران چیپ مجزا می‌باشد، اما همچنان مقدار حجم و توان مصرفی بسیار کمتری نسبت به طراحی به وسیله مدارات ترانزیستوری گسسته نیازمند است.چنین تکنولوژی میکرو الکترونیک پیشرفته‌ای باعث افزایش تعداد ترانزیستورهای موجود در icها شد و بدین ترتیب کاهش تعداد icهای منفردی را در پی داشت که به یک پردازنده کامل نیاز داشتند. درمدارات مجتمع سری msi و lsi (مدارات مجتمع مقیاس متوسط و بزرگ) میزان ترانزیستورها تا صدها و سپس تا هزاران ترانزیستور افزایش یافت.در سال ۱۹۶۴ شرکت ibm سیستم معماری ۳۶۰ کامپیوتر را معرفی کرد که در یک سری از کامپیوترها که می‌توانستند یک برنامه را با چندین سرعت و شکل مختلف اجرا کنند مورد استفاده قرار گرفت. این کار در زمانی که بیشتر کامپیوترهای الکترونیکی با یکدیگر نا سازگار بودند، حتی آنهایی که توسط یک کارخانه ساخته می‌شدند، بسیار حائز اهمیت بود. به منظور تسهیل در چنین پیشرفتی شرکت ibm از یک راهکار به نام ریز برنامه (ریز دستورالعمل)استفاده کرد، که همچنان به صورت گسترده‌ای در پردازنده‌های مدرن مورد استفاده قرار می‌گیرد. سیستم معماری ۳۶۰ آنچنان به شهرت رسید که چندین دهه بر بازار سیستم‌های کامپیوتری قدرتمند حکمفرما بود و چیزی از خود بر جای گذاشت که روند آن همچنان نیز به وسیله کامپیوترهای مدرن مشابه مانند کامپیوترهای سریz شرکت ibm ادامه دارد. در همان سال (۱۹۶۴) انجمن تجهیزات دیجیتالی (dec) یک کامپیوتر قدرتمند با هدف کاربرد علمی و تحقیقاتی به بازا عرضه کرد (pdp-۸.(dec بعدها یک سیستم با نام pdp-۱۱عرضه کرد که به نهایت شهرت دست یافت و این سیستم در اصل با مدارات مجتمع ssi ساخته شده بود با این تفاوت که نهایتا با اجزاء lsi تکمیل شده بود و به یکباره به کاربرد عملی رسید. بر خلاف ssi و msiهای قبلی، اولین پیاده سازی lsi از pdp-۱۱ شامل پردازنده‌های مرکب از چهار lsi مدار مجتمع می‌باشد.(انجمن تجهیزات دیجیتالی ۱۹۷۵) کامپیوترهای با ترانزیستور پایه دارای چندین مزیت ممتاز بود. گذشته از تسهیل و ساده سازی، قابلیت اعتماد بالا و توان مصرفی پایین تری داشتند. ترانزیستورها همچنین به پردازنده‌ها اجازه می‌دادند تا با سرعت بالاتری مورد استفاده قرار گیرد و این به علت زمان سوئیچینگ کوتاه یک ترانزیستور در مقایسه با یک لامپ الکترونی یا رله می‌باشد. در نتیجه برای هر دو حالت افزایش اعتماد و متناسب با آن افزایش چشمگیرسرعت، المانهای سوئیچینگ پالس ساعت پردازنده در دهگان مگا هرتز در طول این دوره بدست آمد. به علاوه زمانیکه ترانزیستورهای گسسته و icهای ریزپردازنده‌ها مورد استفاده زیادی قرار گیرند، طراحی‌های جدید با کیفیت بالا مانند simd (دستورالعمل‌های منفرد بااطلاعات چندگانه) پردازنده‌های جهت دار آشکار می‌شود. این طراحی آزمایشگاهی اخیر بعدها باعث شکل گیری عصر تخصصی ابر کامپیوترها مانند نمونه ساخته شده توسط کری اینک گردید.

تعریف گالوانومتر: بسته به مقدار جریان اثرهای آن به میزان متفاوت بروز می کنند. بنابر این برای اندازه گیری جریان می توان از هر یک از اثرهای شیمیای ، گرمایی یا مغناطیسی آن استفاده کرد وسایلی که برای اندازه گیری جریان به کار می روند، گالوانومتر نامیده می شود. گالوانومتر ساده: ساده ترین نوع گالوانومتر با استفاده از اثر گرمایی جریان ساخته شده است. این گالوانومتر دارای دو سیم نازک است که یکی از سیم ها در دو انتهایش ثابتند. و جریان گذرنده از آن اندازه گیری می شود. سیم نازک و محکم دوم دور محور عقربه پیچیده شده است. وسط سیم کشیده اول را به فنر کشیده ای وصل می کنند که سر دیگرش به بدنه گالوانومتر متصل است. بر اثر جریان ، سیم اول گرم و دراز می شود. رشته سیم که توسط فنر کشیده می شود عقربه گالوانومتر را به اندازه زاویه معینی می چرخاند که بستگی به دراز شدن سیم یعنی شدت جریان الکتریکی دارد. صفحه گالوانومتر برای جریان بر حسب آمپر ، میلی آمپر مدرج می شود. در این صورت گالوانومتر آمپرسنج یا میلی آمپر سنج نامیده می شود. آمپرسنج برای اندازه گیری جریان: برای اندازه گیری جریان گالوانومتر یا آمپرسنج باید طوری اتصال داده شود که جریان کل مدار بتواند از آن عبور کند. برای این منظور باید در نقطه ای مدار را قطع و دو انتهایش را به قطب آمپر سنج وصل کرد. به عبارت دیگر آمپرسنج را باید به طوری متوالی در مدار قرار داد. چون جریان حالت ثابت را اندازه می گیریم. اینکه وسیله را به کدام قسمت از مدار وصل کنیم اهمیتی ندارد در صورتیکه در جریانهای متغییر چنین نیست. ولت سنج برای اندازه گیری ولتاژ: با استفاده از گالوانومتر نه فقط جریان بلکه ولتاژ را نیز می توان اندازه گرفت. زیرا بنابر قانون اهم این کمیت ها متناسبند. اگر دو کمیت با یکدیگر متناسب باشند با وسیله ای که به طور مناسب مندرج شده باشد می توان هر دو کمیت را اندازه گرفت. مثلاً تاکسی متر که فاصله طی شده را اندازه می گیرد، می توان برحسب کیلومتر مدرج کرد. ولی چون کرایه با فاصله متناسب است، درجات شمارنده را بطور مستقیم به پول پرداختی مدرج می کنند. به طوری که مستقیماً کرایه را نشان می دهد. به همین ترتیب صفحه گالوانومتر را می توان طوری مدرج کرد که بتواند بطور مستقیم هم جریان برحسب آمپر عبور کرده از وسیله و هم ولتاژ دو سر آن را برحسب ولت اندازه بگیرد. بنابر این گالوانومتری که برای جریان مدرج می شود آمپرسنج ، در حالی که وسیله ای که برای ولتاژ مدرج می شود و لت سنج نام دارد. دستگاه ها ی مرکب: در حالت کلی اگر جریان I از گالوانومتر عبور کند، باید بین قطب های ورودی و خروجی آن ولتاژ معین U وجود داشته باشد. فرض کنید که مقاومت داخلی گالوانومتر یعنی مقاومت قسمت هایی از آن که جریان از آنها عبور می کند، R باشد (برای گالوانومتر ها با مغناطیس دائمی R مجموع تاب و سیم های رابط است، در حالی که برای گالوانومترهای با سیم افروزشی R مجموع مقاومت سیم گرم شده و رابط هاست). بنابر قانون اهم U=IR می باشد. پس برای یک گالوانومتر معین ، هر مقدار از جریان با مقدار معینی از ولتاژ در دو سر قطب های آن متناظر است. بنابر این جای قرار گرفتن عقربه می تواند هم جریان و هم ولتاژ را نشان دهد. یعنی دستگاه را می توان هم به عنوان آمپرسنج و هم به عنوان ولت سنج مدرج کرد. چگونگی قراردادن ولت سنج در مدار: با استفاده از یک ولت سنج مدرج می توان اختلاف پتاسیل الکتریکی بین هر دو نقطه از مدار را اندازه گرفت. مثلا اگر اختلاف پتاسیل دو سر یک لامپ رشته ای را که از چشمه جریانی تغذیه می کند بخواهید اندازه گیری کنید. باید دو سر ولت سنج را به دو سر لامپ ببندید. به عبارتی ولت سنج جهت سنجش اختلاف پتاسیل (ولتاژ) دو نقطه از مدار یا یک عنصری از مدار بصورت موازی در مداز گذاشته می شود. به عبارتی ولتاژ گذرنده از ولت سنج همان ولتاژ تمامی قسمت هایی از مدار است که آرایش موازی با ولت سنج دارد. در صورتیکه در مورد آمپر سنج قرارگیری در مدار بصورت متوالی است. و با اندازه گیری جریان گذرنده از یک تکه از مدار جریان کل مدار را می دهد، که باید با جریان المان مداری اندازه گیری شده ، برابر باشد. مقاومت درونی ولت سنج: ولت سنج را به جزئی از مدار که ولتاژ دو سر آن باید اندازه گیری شود به طور موازی می بندند. و از این رو جریان معینی ازمدار اصلی از آن می گذرد. پس ازاینکه ولت سنج وصل شد، جریان و ولتاژ درمدار اصلی قدری تغییر می کند. به طوری که حالا مداری متفاوت از رساناها داریم، که شامل رساناهای قبلی و ولت سنج است. مثلا با اتصال ولت سنج با مقاومت Rv به طوری موازی با لامپی که مقاومتش Rb است مقاومت کل مدار بصورت (R= Rb/(1+Rb/Rv خواهد بود. هر چه مقاومت ولت سنج در مقایسه با مقاومت لامپ بزرگتر باشد، اختلاف بین مقاومت ولت سنج باید تا حد امکان بزرگ اختیار شود. برای این منظور یک مقاومت اضافی را که ممکن است مقاومتش به چند هزار اهم برسد، گاهی به طور متوالی به قسمت اندازه گیر ولت سنج می بندند. مقاومت درونی آمپرسنج: برخلاف ولت سنج، آمپرسنج همیشه در مدار به طور متوالی بسته می شود اگر مقاومت آمپرسنج Ra و مقاومت مدار Rc باشد، مقاومت کل مدار با آمپرسنج برابر می شود با : (R=Rc(1+Ra/Rc بنابر این در صورتیکه مقاومت وسیله در مقایسه با مقاومت مدار کوچک باشد بر طبق رابطه اخیر وسیله مقاومت کل مدار را زیاد تغییر نمی دهند. بنابر این مقاومت آمپرسنج ها را خیلی کوچک انتخاب می کنند (چنددهم یاچندصدم اهم)

اعمال ولتاژ با پلاریته موافق باعث عبور جریان از یک پیوند PN می شود و چنانچه پلاریته ولتاژتغییر کند جریانی از مدار عبور نخواهد کرد در مقاله قبلی مختصری د رمورد ترانزیستور ها صحبت کردیم اگر ساده بخواهیم به موضوع نگاه کنیم عملکرد یک ترانزیستور را می توان تقویت جریان دانست. مدار منطقی کوچکی را در نظر بگیرید که تحت شرایط خاص در خروجی خود جریان بسیار کمی را ایجاد می کند. شما بوسیله یک ترانزیستور می توانید این جریان را تقویت کنید و سپس از این جریان قوی برای قطع و وصل کردن یک رله برقی استفاده کنید. از لحاظ ساختاری می توان یک ترانزیستور را با دو دیود مدل کرد. ترانزستورهای اولیه از دو پیوند نیمه هادی تشکیل شده اند و بر حسب آنکه چگونه این پیوند ها به یکدیگر متصل شده باشند می توان آنها را به دو نوع اصلی PNP یا NPN تقسیم کرد. برای درک نحوه عملکرد یک ترانزیستور ابتدا باید بدانیم که یک پیوند (Junction) نیمه هادی چگونه کار می کند. در شکل اول شما یک پیوند نیمه هادی از نوع PN را مشاهده می کنید. که از اتصال دادن دو قطعه نیمه هادی P و N به یکدیگر درست شده است. نیمه هادی های نوع N دارای الکترونهای آزاد و نیمه هادی نوع P دارای تعداد زیادی حفره (Hole) آزاد می باشند. بطور ساده می توان منظور از حفره آزاد را فضایی دانست که در آن کمبود الکترون وجود دارد. اگر به این تکه نیمه هادی از خارج ولتاژی بصورت آنچه در شکل نمایش داده می شود اعمال کنیم در مدار جریانی برقرار می شود و چنانچه جهت ولتاژ اعمال شده را تغییر دهیم جریانی از مدار عبور نخواهد کرد. این پیوند نیمه هادی عملکرد ساده یک دیود را مدل می کند. یکی از کاربردهای دیود یکسوسازی جریان های متناوب می باشد. از آنجایی که در محل اتصال نیمه هادی نوع N به P معمولآ یک خازن تشکیل می شود پاسخ فرکانسی یک پیوند PN کاملآ به کیفیت ساخت و اندازه خازن پیوند بستگی دارد. به همین دلیل اولین دیودهای ساخته شده توانایی کار در فرکانسهای رادیویی - مثلآ برای آشکار سازی - را نداشتند. معمولآ برای کاهش این خازن ناخاسته، سطح پیوند را کاهش داده و آنرا به حد یک نقطه می رسانند.

محققان ترانزيستورهاي نامريي فوق مدرن طراحي كردند كه استراتژي‌هاي جديدي را براي ايجاد شفافيت الكترونيكي فراهم مي‌كنند. به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، از ایسنا، ترانزيستورهاي جديد طراحي شده با هزينه‌ي ارزان در ساخت شيشه و پلاستيك استفاده مي‌شوند و كيفيت ديد بالايي را در شيشه‌هاي جلوي ماشين، عينك‌هاي محافظ و تابلوي اعلانات ايجاد مي‌كنند. مدل‌هاي جديد بدون سيم‌هاي قابل مشاهده طراحي شدند كه از هر دو قابليت نامريي بودن و كارايي سطح بالا برخوردارند. به گفته‌ي محققان ترانزيستورهاي نامريي فوق مدرن طراحي شده استراتژي‌هاي جديدي را براي ايجاد شفافيت الكترونيكي فراهم مي‌كند، به طوري كه مي‌توان انواع متنوعي از كاربردها مانند نمايش معلق متن يا تصوير در فضا را كه قبلا امكان‌پذير نبودند، براي آن‌ها متصور شد.

يک گروه ازمحققان موفق شده اند ترانزيستورهاى تازه اى بسازند که مى‌تواند هم با نور ليزر و هم با نيروى برق ، علائم الکترونيک را هدايت کند. به گزارش بخش خبر شبكه فن آوري اطلاعات ايران، به نقل از ايرنا،‌ ترانزيستورها يکى از اصلىترين اجزاى مدارهاى الکترونيک و تراشه ها به شمار مى‌ايند. اين دستگاهها که سه پايه يا اتصال دارند عمدتا يک سوئيچ الکترونيک هستند، به اين معنى که از يکى از پايه ها جريان برق دريافت مىشود و از آن براى کنترل جريان در دو شاخه ديگر استفاده مى شود. در ترانزيستور تازه اى که به وسيله يک گروه از فيزيکدانان ساخته شده و گزارش آن در شماره اخير نشريه علمى "اپلايد فيزيکس لترز "Physics Letters Appliedبه چاپ رسيده ، خروجى ترانزيستور هم مى تواند نور ليزر باشد و هم جريان برق . حسن چنين دستگاهى آن است که مى توان نور ليزر توليد شده را در مدارهاى متشکل از فيبرهاى نورى که در کنار مدارهاى الکترونيک معمولى قرار داردند هدايت کرد و به اين ترتيب بر سرعت عمليات افزود. اين ترانزيستورها هم چنين مى توانند در نسل بعدى رايانه هاى نورى مورد استفاده قرار گيرند. ترانزيستور جديد ساندويچى از سه نيمه هادى مختلف يعنى اينديوم گاليم فسفايد و indium gallium phosphideگاليم فسفايد و gallium arsenideاينديوم گاليم آرسنياد indium gallium arsenideاست . ماده آخر عمل يک چاه کوانتومى را انجام مى‌دهد که با به تله انداحتن الکترونها کار توليد نور ليزرى را به انجام مى‌رساند. در آزمايشى که با اين ترانزيستور جديد در دماى منهاى۷۳ درجه سانتيگراد صورت گرفت ، مشاهده شد زمانى که جريانى معادل۸ هزارم آمپر به يکى از پايه هاى ترانزيستور وارد مى‌شود، از پايه ديگر نور ليزرى بيرون مى‌آيد. البته محققان توجه کرده اند که بازده نور ليزرى در قياس با زمانى که نور معمولى توليد مى‌شود اندک است . پژوهشگران در تلاشند که با رفع اين محدوديت ، ترانزيستور ابداعى خود را کاملا کاربردى کنند.

سلام دوستان عزیز یک سری مطلب که طبق فهرست درزمینه منابع تغذیه تقدیم حضور دوستان عزیز میشه وامیدوارم دوستان هم مطلب رو تکمیل کنن موفق باشیم

امروزه با پیشرفت چشمگیر مدارهای دیجیتال و به ویژه میکرو کنترلرهای و ترغیب کاربران به استفاده از مدارهای تمام اتوماتیک و دیجیتالی، همه فکر و ذکر دانشجویان ، کارآموزان و مهندسین الکترونیک به سمت و سوی فراگیری این شاخص از علم جذاب الکترونیک کشانده شده است؛ تا جایی که برخی از دوستان با بعضی از قطعات پر کاربرد و تقریباً قدیمی همانند رله بیگانه و نا آشنا هستند و فقط اسم آن ها را شنیده اند. غافل از آنکه همین قطعات به ظاهر آنالوگ (!!!) در مدارهای واسطِ (Interfacing) مدارهای دیجیتالی از جمله میکرو کنترلرها استفاده می شود. این مقاله PDF در مورد آشنایی با رله و اجزای داخلی و عملکرد آن و همچنین معرفی انواع رله ها و مدارهای راه انداز (Driver) با ترانزیستور و میکروکنترلر می باشد. دانلود مقاله

مهندسین آمریکایی اولین ترانزیستور سرعت بالا را از نانولوله‌های کربنی ساخته‌اند. پیتر برک و همکارانش در دانشگاه کالیفرنیا (در ایروین) نشان دادند که وسیله آنها (یک نانولولة تک‌دیواره که به صورت ساندویچ، بین دو الکترود طلا قرار گرفته است) ‌در فرکانس‌های میکروویو بسیار سریع کار می‌کند. نتیجه حاصل،‌ گامی مهم در تلاش برای تولید اجزاء نانوالکترونیک است که می‌تواند جایگزین سیلیکون در کاربردهای الکترونیکی متعدد شود. امروزه مدارهای میکروالکترونیکی متداول، کوچک و کوچک‌ترشده، به نظر می‌رسد که طی دهة آینده به محدودیت‌های ناشی از خواص بنیادی سیلیکون برسند. خواص نیمه‌رسانایی نانولوله‌های کربنی، آنها را به جایگزینی مطمئن برای سیلیکون تبدیل می‌کند. هم‌اکنون این نانولوله‌ها در ساخت اجزاء الکترونیکی متعددی از جمله دیودها و ترانزیستورهای اثر میدانی به کار برده می‌شوند. ترانزیستورهای معمولی سه ترمینال دارند: الکترودهای سورس 1، درین 2 و گیت 3. الکترود گیت، چگالی الکترون‌ها را در ناحیه کروی ترانزیستور که معمولاً از مواد نیمه‌رسانا ساخته می‌شود، کنترل می‌نماید. تصویر SEM از نانولوله تک دیواره نیمه‌هادیS Li et al. 2004 Nano Lett. 4 753چنانچه چگالی الکترون بالا باشد، جریان از سورس به درین می‌رود و اگر چگالی پائین باشد، جریانی برقرار نمی‌شود. این خاصیت سبب می‌شود تا ترانزیستور همانند سوئیچ تبدیل عمل نماید. برک و همکارانش ترانزیستورهای خود را با قراردادن یک نانولوله تک‌دیواره به صورت ساندویچی بین الکترودهای طلائی سورس و درین (به شکل رجوع کنید) ساختند. هنگامی که آنها ولتاژ گیت را تغییر دادند، دریافتند که این مدار با فرکانس 6/2 گیگا هرتز کار می‌کند. این به معنای خاموش و روشن‌شدن (قطع و وصل) جریان در حدود 1/0 نانوثانیه است که باعث شده است تا این وسیله سریع‌ترین ترانزیستور نانولوله‌ای ساخته‌شده تاکنون باشد. در حال حاضر، این وسیله در دمای 4 درجه کلوین کار می‌کند. اما برک مطمئن است که می‌توان آن را طوری ساخت که در دمای اتاق کار کند. به‌علاوه او معتقد است که این ترانزیستور را می‌توان به نحوی ساخت که حتی در فرکانس‌های بالاتر نیز کار کند. وی می‌گوید: "تخمین من برای حد سرعت نظری این ترانزیستور1012 هرتز (تراهرتز) است که 1000 برابر سریع‌تر از سرعت رایانه‌های جدید می‌باشد.