ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا
تبلیغات
آفرینش

تهران سازان

جملات کاربران:
برخی از محصولات فروشگاه نواندیشان بهترین مدیر، مسئول و کاربر انجمن در مردادماه
ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالاطرح توجیهی کویرنوردی یزد ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه کد کامل تهران به صورت قطعه بندی شده ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالامجموعه کامل آموزش Solidworks ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا
ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 1 تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه کد نقشه gis منطقه 15 تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 17 تهران
ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 2 تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه GIS کل تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 6 تهران
ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 3 تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 11 تهران ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالانقشه gis منطقه 12 تهران sam arch آرتاش

جديد ترين اطلاعیه های انجمن نواندیشان و اخبار همایش ها و مطالب علمی را از این پس در کانال تلگرام نواندیشان دنبال کنيد

درخواست و دانلود مقالات علمي رايگان | فهرست آموزش های گروه انقلاب آموزشی | مسابقات تالارها | ترجمه مقالات تخصصی با قیمت دانشجویی
نمایش نتایج: از شماره 1 تا 1 , از مجموع 1

موضوع: ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا

  1. #1
    ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا

    تاریخ عضویت
    28-08-2009
    نوشته ها
    4,674
    مهندسی برق
    امتياز طلايي
    58
    سپاس
    4,334
    5,569 سپاس در 1,656 پست
    امتياز:26318Array


    پیش فرض ترانزیستورهای نانولوله‌ای سرعت بالا

    مهندسین آمریکایی اولین ترانزیستور سرعت بالا را از نانولوله‌های کربنی ساخته‌اند. پیتر برک و همکارانش در دانشگاه کالیفرنیا (در ایروین) نشان

    دادند که وسیله آنها (یک نانولولة تک‌دیواره که به صورت ساندویچ، بین دو الکترود طلا قرار گرفته است) ‌در فرکانس‌های میکروویو بسیار سریع کار

    می‌کند.

    نتیجه حاصل،‌ گامی مهم در تلاش برای تولید اجزاء نانوالکترونیک است که می‌تواند جایگزین سیلیکون در کاربردهای الکترونیکی متعدد شود. امروزه

    مدارهای میکروالکترونیکی متداول، کوچک و کوچک‌ترشده، به نظر می‌رسد که طی دهة آینده به محدودیت‌های ناشی از خواص بنیادی سیلیکون

    برسند. خواص نیمه‌رسانایی نانولوله‌های کربنی، آنها را به جایگزینی مطمئن برای سیلیکون تبدیل می‌کند. هم‌اکنون این نانولوله‌ها در ساخت اجزاء

    الکترونیکی متعددی از جمله دیودها و ترانزیستورهای اثر میدانی به کار برده می‌شوند. ترانزیستورهای معمولی سه ترمینال دارند: الکترودهای

    سورس 1، درین 2 و گیت 3. الکترود گیت، چگالی الکترون‌ها را در ناحیه کروی ترانزیستور که معمولاً از مواد نیمه‌رسانا ساخته می‌شود، کنترل

    می‌نماید. تصویر SEM از نانولوله تک دیواره نیمه‌هادیS Li et al. 2004 Nano Lett. 4 753چنانچه چگالی الکترون بالا باشد، جریان از سورس به

    درین می‌رود و اگر چگالی پائین باشد، جریانی برقرار نمی‌شود. این خاصیت سبب می‌شود تا ترانزیستور همانند سوئیچ تبدیل عمل نماید. برک و

    همکارانش ترانزیستورهای خود را با قراردادن یک نانولوله تک‌دیواره به صورت ساندویچی بین الکترودهای طلائی سورس و درین (به شکل رجوع

    کنید) ساختند. هنگامی که آنها ولتاژ گیت را تغییر دادند، دریافتند که این مدار با فرکانس 6/2 گیگا هرتز کار می‌کند. این به معنای خاموش و

    روشن‌شدن (قطع و وصل) جریان در حدود 1/0 نانوثانیه است که باعث شده است تا این وسیله سریع‌ترین ترانزیستور نانولوله‌ای ساخته‌شده

    تاکنون باشد. در حال حاضر، این وسیله در دمای 4 درجه کلوین کار می‌کند. اما برک مطمئن است که می‌توان آن را طوری ساخت که در دمای

    اتاق کار کند. به‌علاوه او معتقد است که این ترانزیستور را می‌توان به نحوی ساخت که حتی در فرکانس‌های بالاتر نیز کار کند. وی می‌گوید:

    "تخمین من برای حد سرعت نظری این ترانزیستور1012 هرتز (تراهرتز) است که 1000 برابر سریع‌تر از سرعت رایانه‌های جدید می‌باشد.
    [میهمان عزیز شما قادر به مشاهده لینک نمی باشید. جهت مشاهده لینک در تالار گفتگو ثبت نام کنید. ]
    تمامی فایلهایی که پسورد آنها ذکر نشده:
    [میهمان عزیز شما قادر به مشاهده لینک نمی باشید. جهت مشاهده لینک در تالار گفتگو ثبت نام کنید. ]


  2. # ADS
    Circuit advertisement
    تاریخ عضویت
    Always
    نوشته ها
    Many
    آفرینش گستر
     

اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

موضوعات مشابه

  1. ترازیستورها سه بعدی می‌شوند
    توسط samaneh66 در انجمن اخبار الکترونیک
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 11-06-2011, 16:23
  2. خبر: ساخت ترازیستور تک‌الکترونی فوق‌العاده کوچک
    توسط سمندون در انجمن اخبار الکترونیک
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 21-04-2011, 15:32
  3. گرافن کوچکترین ترانزیستور جهان
    توسط کهربا در انجمن اخبار الکترونیک
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 28-11-2010, 18:36
  4. ساخت ترانزیستور گرافینی با سرعت 300 گیگاهرتز
    توسط setiya در انجمن اخبار الکترونیک
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 03-10-2010, 21:33
  5. خبر: ترانزیستورها پرسرعت با مصرف کمتر
    توسط am in در انجمن اخبار الکترونیک
    پاسخ ها: 0
    آخرين نوشته: 01-08-2010, 11:14

کلمات کلیدی این موضوع

Bookmarks

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •