رفتن به مطلب
azarafrooz

مشاهده موقعیت دقیق اتم‌ها در نیمه‌هادی‌ها برای اولین بار

پست های پیشنهاد شده

در سال 1959 دکتر فاینمن برنده جایزه نوبل یک سخنرانی با عنوان «در آن پایین فضای زیادی وجود دارد» ایراد کرد. فاینمن نتیجه‌گیری کرد که هیچ دلیل فیزیکی برای اینکه انسان نتواند اتم‌ها را دستکاری کند، وجود ندارد. با این حال حتی اگر این کار ممکن باشد، چگونه می‌توانید این دستکاری را تشخیص دهیم؟

 

شرکت آی‌بی‌ام و Imago یک گام بزرگ در جهت محقق کردن پیش‌بینی دکتر فاینمن برداشته‌اند. بنا بر گزارش مجله Science در شماره 7 سپتامبر 2007، این دو شرکت برای اولین بار توانسته‌اند توزیع اتم‌های منفرد ناخالصی را در ابزارهای نیمه‌هادی مشاهده کنند.

 

آنها از توموگرافی (تصویربرداری با اشعه ایکس) روبش اتمی برای کمی کردن موقعیت و هویت اتم‌های مجاور نقایص (بلوری) در سیلیکون استفاده نمودند. این ناخالصی‌ها به شکلی یکنواخت در سیلیکون وارد می‌شدند و همیشه امید بر این بود که توزیع ناخالصی درون سیلیکون به شکلی یکنواخت صورت بگیرد.

 

با این حال محققان آی‌بی‌ام و Imago دریافتند که پس از وارد کردن یون‌ها و فرایند آنیلینگ، در اطراف نقایص موجود در سیلیکون خوشه‌هایی از اتم‌های ناخالصی شکل می‌گیرند.

 

تام کلی یکی از نویسندگان مقاله مجله Science و مدیر اجرایی Imago می‌گوید: «این برای اولین بار است که اطلاعات سه‌بعدی کمی مشخصی از موقعیت دقیق اتم‌های ناخالصی نسبت به نقایص بلور به دست می‌آید. توانایی دستگاه پروب اتمی LEAP 3000X Si که از لیزر کمک می‌گیرد در به دست آوردن این اطلاعات نتیجه سال‌ها کار دستگاهی و توسعه کاربردهاست. حال ما یک روش جدید قدرتمند برای روبش موقعیت دقیق اتم‌های ناخالصی در نیمه‌هادی‌ها در اختیار داریم».

  • Like 2

به اشتراک گذاری این ارسال


لینک به ارسال
به اشتراک گذاری در سایت های دیگر

برای ارسال دیدگاه یک حساب کاربری ایجاد کنید یا وارد حساب خود شوید

برای اینکه بتوانید دیدگاهی ارسال کنید نیاز دارید که کاربر سایت شوید

ایجاد یک حساب کاربری

برای حساب کاربری جدید در سایت ما ثبت نام کنید. عضویت خیلی ساده است !

ثبت نام یک حساب کاربری جدید

ورود به حساب کاربری

دارای حساب کاربری هستید؟ از اینجا وارد شوید

ورود به حساب کاربری

×