رفتن به مطلب

معرفی مختصر و نحوه تست ترانزیستور های igbt


ارسال های توصیه شده

ترانزیستور های دو قطبی با گیت ایزوله (IGBT)

IGBT یک توسعه نوین در حوزه ی تکنولوژی ماسفت می باشد. این المان ، مزایای Mosfet و BJT را با هم ترکیب نموده است. لذا یک IGBT همانند ماسفت دارای امپدانس ورودی بالا می باشد و مشابه BJT، تلفات توان هدایتی کمی دارد. بعلاوه، IGBT فارغ از پدیده ی شکست ثانویه است که در BJT وجود دارد. IGBT بعنوان یک ترانزیستور فلز اکسید با گیت ایزوله نیز شناخته می شود(MosIGT) یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون هدایتی (COMFET) و یا ترانزیستور اثر میدانی با مدولاسیون بهره نیز خوانده می شود. همچنین در ابتدای ظهور، ترانزیستور با گیت ایزوله (IGT) نامیده شد. [برگرفته شده از جزوه الکترونیک صنعتی استاد عزیزم دکتر ابوترابی از دانشگاه شهید منتظری مشهد] نحوه تست ترانزیستور های IGBT با مولتی متر دیجیتالی:

برای تست IGBT یک کلیپ رو در ادامه مطلب قرار دادم.این کلیپ درسته به زبان انگلیسی هست ولی چون به صورت عملی فرایند تست انجام می شه کاملا متوجه نحوه تست خواهید شد

.0iz8cnx1mcu1zcy29rip.jpg

 

 

.:

برای مشاهده این محتوا لطفاً ثبت نام کنید یا وارد شوید.
:.

لینک به دیدگاه
  • 2 سال بعد...
  • 1 سال بعد...

به گفتگو بپیوندید

هم اکنون می توانید مطلب خود را ارسال نمایید و بعداً ثبت نام کنید. اگر حساب کاربری دارید، برای ارسال با حساب کاربری خود اکنون وارد شوید .

مهمان
ارسال پاسخ به این موضوع ...

×   شما در حال چسباندن محتوایی با قالب بندی هستید.   حذف قالب بندی

  تنها استفاده از 75 اموجی مجاز می باشد.

×   لینک شما به صورت اتوماتیک جای گذاری شد.   نمایش به صورت لینک

×   محتوای قبلی شما بازگردانی شد.   پاک کردن محتوای ویرایشگر

×   شما مستقیما نمی توانید تصویر خود را قرار دهید. یا آن را اینجا بارگذاری کنید یا از یک URL قرار دهید.

×
×
  • اضافه کردن...